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簡(jiǎn)要描述：麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見(jiàn)信號(hào)的全部真相，是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問(wèn)題。
更新時(shí)間：2024-09-14
產(chǎn)品型號(hào)： MOIP200P
所屬分類(lèi)：麥科信示波器
訪問(wèn)量：571
麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
麥科信MICSIG SigOFIT MOIP系列光隔離探頭
帶寬：DC-1GHz
共模電壓： 85kVpk
直流增益精度：1%
共模抑制比：高達(dá)180dB
產(chǎn)品概述：
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見(jiàn)信號(hào)的全部真相，
是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問(wèn)題。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
最真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有共模抑制比，在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。
測(cè)試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判，測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半導(dǎo)體的最佳測(cè)試手段
第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短，信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿，信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時(shí)，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號(hào)沒(méi)有額外多余成分。
測(cè)試氮化鎵（GaN）不炸管
SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容最小僅1pF，測(cè)試氮化鎵（GaN）十分安全。
使用靈活，高效便捷
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應(yīng)快，上電即測(cè)，校準(zhǔn)時(shí)間小于1秒，校準(zhǔn)時(shí)，無(wú)需斷開(kāi)測(cè)試連接，可實(shí)時(shí)保證精確的信號(hào)輸出。
真正光隔離技術(shù)
用激光傳輸信號(hào)+用激光傳輸電能（不用電池，電源更純凈），可365天不間斷測(cè)試。
測(cè)試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào)，SigOFIT光隔離探頭通過(guò)匹配不同的衰減器，可以測(cè)試±0.01V至±6250V的差模信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。
應(yīng)用場(chǎng)景
對(duì)其他電壓探頭所測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí)，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。
電源設(shè)備評(píng)估、電流并聯(lián)測(cè)量、EMI 和 ESD 故障排除
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)
氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析
高壓高帶寬測(cè)試應(yīng)用的安全隔離測(cè)試
逆變器、UPS及開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試
寬電壓、寬帶測(cè)試應(yīng)用
各種浮地測(cè)試
產(chǎn)品參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào) | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
帶 寬 | 100MHz | 200MHz | 350MHz | 500MHz | 800MHz | 1GHz |
上升時(shí)間 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤1ns | ≤700ps | ≤438ps | ≤350ps |
共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 350MHz: 118dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB | DC: 180dB 800MHz: 110dB | DC: 180dB 1GHz: 108dB |
差模電壓 | ±6250V | ±5000V | ||||
底 噪 | <0.45mVrms | <0.45mVrms | ||||
直流增益精度 | 1% | |||||
共模電壓 | 85kVpk | |||||
接 口 | 通用BNC | |||||
麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
